光子学报, 2018, 47 (3): 0304002, 网络出版: 2018-02-01   

In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

Response and Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As/InP Avalanche Photodiode
作者单位
1 贵州大学 大数据与信息工程学院, 贵阳 550025
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
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袁正兵, 肖清泉, 杨文献, 肖梦, 吴渊渊, 谭明, 代盼, 李雪飞, 谢泉, 陆书龙. In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性[J]. 光子学报, 2018, 47(3): 0304002. YUAN Zheng-bing, XIAO Qing-quan, YANG Wen-xian, XIAO Meng, WU Yuan-yuan, TAN Ming, DAI Pan, LI Xue-fei, XIE Quan, LU Shu-long. Response and Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As/InP Avalanche Photodiode[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2018, 47(3): 0304002.

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