半导体光电, 2017, 38 (1): 21, 网络出版: 2017-03-29  

晶硅太阳电池黑斑分析

Analysis on Black Spot in Boron—Doped p-Type Crystalline Silicon Solar Cells
作者单位
1 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体材料科学重点实验室, 低维半导体材料与器件北京市重点实验室, 北京 100083
2 内蒙古日月太阳能科技有限公司, 呼和浩特 010111
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.01.005
中图分类号: TM914.4
栏目: 光电器件
项目基金: 国家自然科学基金项目(61474104, 61504131)
收稿日期: 2016-06-24
修改稿日期: --
网络出版日期: 2017-03-29
通讯作者: 赵有文 (zhaoyw@semi.ac.cn)
备注: --

陈晓玉, 刘彤, 刘京明, 谢辉, 赵有文, 董志远, 马承红, 和江变. 晶硅太阳电池黑斑分析[J]. 半导体光电, 2017, 38(1): 21. CHEN Xiaoyu, LIU Tong, LIU Jingming, XIE Hui, ZHAO Youwen, DONG Zhiyuan, MA Chenghong, HE Jiangbian. Analysis on Black Spot in Boron—Doped p-Type Crystalline Silicon Solar Cells[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(1): 21.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!