p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中, 部分电池片出现黑斑现象。结合X射线能谱分析(EDS), 对黑斑片与正常片进行对比分析, 发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同, 排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能。利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域, 发现黑斑处Ca含量较大, 并出现Sr、Ge和S等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm×2cm的电池样片, 利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE)。在460~1000nm波长范围内, 同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大, 说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关, 应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出了杂质引入的原因以及解决途径, 从而显著减小了黑斑片产生的几率。

N型晶体太阳电池由于少子寿命高、光致衰减低、弱光响应好等优点, 近年来在高效率低成本太阳电池领域一直备受关注。利用PC1D模拟, 对N型背发射极晶体硅太阳电池进行了分析。结果表明, 背发射极掺杂浓度、结深、背表面复合速率、前表面掺杂浓度及复合速率都对电池转换效率有较大影响, 尤其是电池前表面与背表面复合速率对电池性能的影响最为明显, 而电池前表面场掺杂深度则对电池性能影响较小。对于前表面复合来说, 当前表面复合速率小于1×103 cm/s时, 电池性能受表面复合速率变化的影响很小；但复合速率超过1×103 cm/s后, 电池转换效率快速下降。背表面复合对电池效率影响则更明显, 当背表面复合速率超过1×104 cm/s后, 电池转换效率急剧下降, 在背表面复合速率增大到1×106 cm/s时, 电池效率下降到不足5%, 而在电池背表面复合速度较小时(10~103 cm/s)则可获得较高的转换效率。