发光学报, 2017, 38 (11): 1510, 网络出版: 2017-12-25
高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性
Growth and Photoluminescence Characteristics of InGaNAs/GaAs QW with High In Composition
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20173811.1510 |
| 中图分类号: | TN21 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61274137,11304274)、 云南省教育厅基金(2014Z043)资助项目 |
| 收稿日期: | 2017-04-13 |
| 修改稿日期: | 2017-09-07 |
| 网络出版日期: | 2017-12-25 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
单睿, 周海春, 郝瑞亭, 欧全宏, 郭杰. 高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性[J]. 发光学报, 2017, 38(11): 1510. SHAN Rui, ZHOU Hai-chun, HAO Rui-ting, OU Quan-hong, GUO Jie. Growth and Photoluminescence Characteristics of InGaNAs/GaAs QW with High In Composition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017, 38(11): 1510.
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