高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2017, 38 (11): 1510, 网络出版: 2017-12-25

高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

Growth and Photoluminescence Characteristics of InGaNAs/GaAs QW with High In Composition

单睿 ^1,2周海春 ^1,2郝瑞亭 ^1,2欧全宏 ^1,2郭杰 ^1,2

作者单位

¹ 云南省光电信息技术重点实验室, 云南昆明 650500

² 云南师范大学物理与电子信息学院, 云南昆明 650500

量子阱分子束外延光致发光光谱 InGaNAs InGaNAs quantum well molecular beam epitaxy photoluminescence

知识挖掘

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本文研究领域论文发表情况（统计图）：

单睿, 周海春, 郝瑞亭, 欧全宏, 郭杰. 高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性[J]. 发光学报, 2017, 38(11): 1510. SHAN Rui, ZHOU Hai-chun, HAO Rui-ting, OU Quan-hong, GUO Jie. Growth and Photoluminescence Characteristics of InGaNAs/GaAs QW with High In Composition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017, 38(11): 1510.

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