红外与毫米波学报, 2018, 37 (2): 184, 网络出版: 2018-05-29
基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真
Simulation of the multiplication zone for linear APD based on standard CMOS process
基本信息
DOI: | 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.010 |
中图分类号: | TN364 |
栏目: | |
项目基金: | 中国科学院上海技术物理研究所重点培育方向性项目 |
收稿日期: | 2017-08-09 |
修改稿日期: | 2018-01-18 |
网络出版日期: | 2018-05-29 |
通讯作者: | 鞠国豪 (jugh@shanghaitech.edu.cn) |
备注: | -- |
鞠国豪, 程正喜, 陈永平, 钟燕平. 基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真[J]. 红外与毫米波学报, 2018, 37(2): 184. JU Guo-Hao, CHENG Zheng-Xi, CHEN Yong-Ping, ZHONG Yan-Ping. Simulation of the multiplication zone for linear APD based on standard CMOS process[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018, 37(2): 184.