光谱学与光谱分析, 2017, 37 (5): 1357, 网络出版: 2017-06-20  

Y掺杂Si纳米线的光致发光特性

Photoluminescence Properties of Y Doped Si Nanowires
作者单位
1 河北大学电子信息工程学院, 河北 保定 071000
2 清华大学微电子学院, 北京 100084
3 河北大学河北省数字医疗工程重点实验室, 河北 保定 071000
基本信息
DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2017)05-1357-06
中图分类号: O614.3
栏目:
项目基金: 河北大学校内人才培养科研项目, 国家级大学生创新训练项目(201510075018), 国家自然科学基金青年科学基金项目(61204079)资助
收稿日期: 2016-05-31
修改稿日期: 2016-10-19
网络出版日期: 2017-06-20
通讯作者: 张津豪 (382700534@qq.com)
备注: --

张津豪, 刘绰, 李婉, 郝肖, 吴一, 范志东, 刘磊, 马蕾. Y掺杂Si纳米线的光致发光特性[J]. 光谱学与光谱分析, 2017, 37(5): 1357. ZHANG Jin-hao, LIU Chuo, LI Wan, HAO Xiao, WU Yi, FAN Zhi-dong, LIU Lei, MA Lei. Photoluminescence Properties of Y Doped Si Nanowires[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2017, 37(5): 1357.

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