Y掺杂Si纳米线的光致发光特性

张津豪; 刘绰; 李婉; 郝肖; 吴一; 范志东; 刘磊; 马蕾

doi:doi:10.3964/j.issn.1000-0593(2017)05-1357-06

光谱学与光谱分析, 2017, 37 (5): 1357, 网络出版: 2017-06-20

Y掺杂Si纳米线的光致发光特性

Photoluminescence Properties of Y Doped Si Nanowires

张津豪 ^1,*刘绰 ¹李婉 ¹郝肖 ¹吴一 ²范志东 ¹刘磊 ^1,3马蕾 ^1,3

作者单位

¹ 河北大学电子信息工程学院, 河北保定 071000

² 清华大学微电子学院, 北京 100084

³ 河北大学河北省数字医疗工程重点实验室, 河北保定 071000

补充材料

张津豪, 刘绰, 李婉, 郝肖, 吴一, 范志东, 刘磊, 马蕾. Y掺杂Si纳米线的光致发光特性[J]. 光谱学与光谱分析, 2017, 37(5): 1357. ZHANG Jin-hao, LIU Chuo, LI Wan, HAO Xiao, WU Yi, FAN Zhi-dong, LIU Lei, MA Lei. Photoluminescence Properties of Y Doped Si Nanowires[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2017, 37(5): 1357.