光学学报, 2010, 30 (s1): s100107, 网络出版: 2010-12-21  

温度对基于金辅助金属氧化物化学汽相沉积生长的GaAs纳米线影响

Effect of Growth Temperature on GaAs Nanowires Formed by Au-Assisted MOCVD
作者单位
北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室, 北京 100876
基本信息
DOI: 10.3788/aos201030.s100107
中图分类号: O471.4;O782+.9;O784
栏目: 材料
项目基金: 国家973计划(2010CB327600)、国家863计划(2009AA03Z405, 2009AA03Z417)、高等学校学科创新引智计划(B07005)、国际科技合作重点项目计划(2006DFB11110)、新世纪优秀人才支持计划(NCET-08-0736)、长江学者和创新团队发展计划(IRT0609)和中央高校基本科研业务费专项(BUPT2009RC0409,BUPT2009RC0410)资助课题。
收稿日期: 2010-08-23
修改稿日期: 2010-10-19
网络出版日期: 2010-12-21
通讯作者: 郭经纬 (guojingwei666@163.com)
备注: --

郭经纬, 黄辉, 叶显, 任晓敏, 蔡世伟, 王伟, 王琦, 黄永清, 张霞. 温度对基于金辅助金属氧化物化学汽相沉积生长的GaAs纳米线影响[J]. 光学学报, 2010, 30(s1): s100107. Guo Jingwei, Huang Hui, Ye Xian, Ren Xiaomin, Cai Shiwei, Wang Wei, Wang Qi, Huang Yongqing, Zhang Xia. Effect of Growth Temperature on GaAs Nanowires Formed by Au-Assisted MOCVD[J]. Acta Optica Sinica, 2010, 30(s1): s100107.

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