半导体光电, 2018, 39 (5): 659, 网络出版: 2019-01-10
选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性
Migration Characterization of Ga Adatoms on Dielectric Surface in Selective Area Growth
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.011 |
| 中图分类号: | TN304.2 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目（61574173, 61274039） |
| 收稿日期: | 2018-04-04 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2019-01-10 |
| 通讯作者: | 张佰君 (zhbaij@mail.sysu.edu.cn) |
| 备注: | -- |
杨杭, 邢洁莹, 陈伟杰, 陈杰, 韩小标, 钟昌明, 梁捷智, 黄德佳, 侯雅倩, 吴志盛, 张佰君. 选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性[J]. 半导体光电, 2018, 39(5): 659. YANG Hang, XING Jieying, CHEN Weijie, CHEN Jie, HAN Xiaobiao, ZHONG Changming, LIANG Jiezhi, HUANG Dejia, HOU Yaqian, WU Zhisheng, ZHANG Baijun. Migration Characterization of Ga Adatoms on Dielectric Surface in Selective Area Growth[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(5): 659.
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