中山大学 电子与信息工程学院 光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510006
选择区域外延生长（SAG）技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中, Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统研究了选择区域外延生长中Ga原子在掩模介质表面上的迁移特性, 得到了不同反应腔压力和生长温度下Ga原子在掩模介质表面的迁移长度, 且在保持其他生长条件不变的情况下, 适当降低反应腔压力或提高生长温度可提高Ga原子的迁移长度。
金属有机化合物化学气相沉积 选择区域外延生长 迁移长度 MOCVD SAG migration length
1 中山大学 物理科学与工程技术学院 光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510275
2 中山大学 物理科学与工程技术学院 光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510275:
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率.通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率.实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%.
高反射率电极 表面粗化 光萃取效率 high reflective electrode pads roughened surface light extraction efficiency
