Author Affiliations
Abstract
1 State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China
2 Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
3 Key Laboratory of Electronic Materials and Devices of Tianjin, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China
240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated. Then, the external quantum efficiency (EQE) and light extraction efficiency (LEE) are systematically investigated by comparing size and edge effects. Here, it is revealed that the peak optical output power increases by 81.83% with the size shrinking from 50.0 to 25.0 μm. Thereinto, the LEE increases by 26.21% and the LEE enhancement mainly comes from the sidewall light extraction. Most notably, transverse-magnetic (TM) mode light intensifies faster as the size shrinks due to the tilted mesa side-wall and Al reflector design. However, when it turns to 12.5 μm sized micro-LEDs, the output power is lower than 25.0 μm sized ones. The underlying mechanism is that even though protected by SiO2 passivation, the edge effect which leads to current leakage and Shockley-Read-Hall (SRH) recombination deteriorates rapidly with the size further shrinking. Moreover, the ratio of the p-contact area to mesa area is much lower, which deteriorates the p-type current spreading at the mesa edge. These findings show a role of thumb for the design of high efficiency micro-LEDs with wavelength below 250 nm, which will pave the way for wide applications of deep ultraviolet (DUV) micro-LEDs.
AlGaN deep ultraviolet micro-LEDs light extraction efficiency size effect edge effect Journal of Semiconductors
2024, 45(1): 012504
刘召强 1,2,3贾童 1,2,3许湘钰 1,2,3楚春双 1,2,3[ ... ]张紫辉 1,2,3,*
1 河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300401
2 河北工业大学 天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300401
3 河北省先进激光技术与装备重点实验室,天津 300401
随着AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的发展,其不仅在杀菌消毒领域得到广泛应用,在日盲紫外光通信领域的应用也受到越来越多的关注。这主要是由于相比其他的紫外光源(如汞灯、激光),其具有功耗低、设计灵活且调制带宽高的优势。而DUV LED的带宽严重依赖于器件尺寸,器件尺寸越小,其带宽越高。但是,随着深紫外微型发光二极管(μLED)的尺寸减少,尽管其带宽得到提高,但是其光功率却急剧下降,这严重限制了深紫外μLED在光通信中的应用。文中主要总结了深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理;并分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高深紫外μLED光提取效率和改善热学特性的方法。文中将为从事深紫外μLED研究的工作者提供一定的研究方向指导。
AlGaN 深紫外微型发光二极管 调制带宽 光提取效率 AlGaN DUV μLED modulation bandwidth light extraction efficiency 红外与激光工程
2023, 52(8): 20230390
1 福州大学物理与信息工程学院平板显示技术国家地方联合工程实验室,福建 福州 350108
2 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室),福建 福州 350108
微型发光二极管(Micro-LED)显示芯片尺寸减小带来了侧壁效应,导致其正向光提取效率(LEE)降低,实现高光效Micro-LED的显示芯片结构仍有待深入研究。从仿真角度出发,基于有限差分时域法探索高光效GaN基Micro-LED的优化模型。首先,构建垂直侧壁GaN基Micro-LED初始叠层结构,定量分析侧壁效应对LEE的影响。然后,探索Micro-LED多量子阱有源层位置变化对出光效果的影响,分析不同侧壁倾角条件下的Micro-LED结构模型,讨论底部反射材料对LEE的影响,获得初步优化的GaN基Micro-LED模型参数。最后,通过设计顶部透射光栅进一步提升LEE,并探讨光栅周期、光栅高度和占空比对LEE的影响。结果表明,优化后的GaN基Micro-LED的整体LEE较初始结构提升了2.42倍。
光电子学 微发光二极管 光提取效率 有限差分时域法 光栅 分布式布拉格反射器 光学学报
2022, 42(15): 1525001
南方科技大学 电子与电气工程系, 广东 深圳 518000
基于氮化镓材料的微型发光二极管(microLED)已逐渐成为可见光通信和下一代显示器等许多光电器件的主要发光源。由非辐射复合和量子限制斯塔克效应(QCSE)引起的低外量子效率(EQE)是微型发光二极管应用开发过程中的主要瓶颈。文章讨论了微型发光二极管低EQE的成因,分析了其物理特性,并提出了改善其EQE的优化方法。
光萃取效率 内量子效率 外量子效率 微型发光二极管 尺寸效应 light extraction efficiency (LEE) internal quantum efficiency (IQE) EQE microLED size effect
1 衢州职业技术学院 信息工程学院, 衢州 324000
2 北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京100124
3 衢州职业技术学院 设备与实训管理中心, 衢州 324000
为了提高发光二极管(LED)的发光效率, 在LED出光面放置金属光栅, 采用时域有限差分法进行了理论分析和模拟计算。结果表明, 对光栅优化后, 金属光栅对波长460nm的透射率接近1, 可提高LED的光提取效率;在此波长下, 可同时激发局域表面等离激元和表面等离极化激元, 有助于提高LED内量子效率; 且具有金属光栅结构的LED的发光效率是仅在出光面放置一层Ag薄层的LED的30倍。该研究为未来制备高发光效率的LED提供了理论指导。
光学器件 发光二极管 金属光栅 发光效率 内量子效率 光提取效率 optical devices light emitting diode metal grating luminous efficiency internal quantum efficiency light extraction efficiency
1 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室, 陕西 西安 710049
2 西安交通大学电子科学与工程学院, 陕西 西安 710049
3 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室, 陕西 西安 710049
为了提升氮化镓(GaN)基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的发光效率,设计工艺简单且成本低廉的领结型纳米银金属阵列,并将该结构集成于GaN基发光二极管的表面,在不破坏外延结构的情况下通过激发局域表面等离激元效应有针对性地提升不同波段发光二极管的光提取效率。利用时域有限差分法系统地模拟计算不同尺寸的领结型纳米银金属阵列在不同入射波长下对GaN基发光二极管光提取效率的影响,并通过实验进行验证。结果表明,在中心波长分别为370,425,525 nm的LED的表面集成最优尺寸的领结型纳米银金属阵列,其光致发光峰强度相比于无表面结构的LED分别提升71.1%、148.2%和105.9%。
光学器件 发光二极管 局域表面等离激元 纳米阵列结构 光提取效率 光学学报
2021, 41(21): 2123001
1 南京邮电大学 1. 电子与光学工程学院
2 2. 微电子学院
3 南京邮电大学 3. 通信与信息工程学院, 南京 210023
基于时域有限差分法(FDTD)在GaN基LED表面分别生长了ZnO柱状与锥状微纳结构, 并利用Rsoft模拟仿真软件分析了两种结构的几何参量(排列周期p、高度H、底面直径D等)对GaN基LED光提取效率的影响。结果表明两种结构均可提高器件的光提取效率, 柱状结构在H=0.25μm, p=1.5μm, D=0.9μm时表现最优, 其光提取效率是未加任何结构平板LED的5.6倍; 而锥状结构在H=0.6μm, p=1.4μm, D=1.4μm时表现最优, 其光提取效率是未加任何结构平板LED的5.3倍。研究结果对高性能GaN基LED的设计与制备具有一定指导意义。
ZnO微纳结构 光提取效率 GaN基LED 时域有限差分 ZnO micro-nano structure light extraction efficiency GaN-based LED finite-difference time-domain
1 厦门大学 材料学院, 福建 厦门 361000
2 福建中晶科技有限公司, 福建 龙岩 364000
为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能, 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜, 经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO2图形化蓝宝石衬底(SiO2 patterned sapphire substrate,SPSS), 利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件。通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能, 重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响。实验及模拟仿真结果表明, 与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比, SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低, 晶体质量较高, SPSS-LED的光提取效率提高26%、光输出功率和亮度均提高约5%。
SiO2蓝宝石复合衬底 LED芯片 位错密度 光提取效率 SiO2 sapphire composite substrate LED chip dislocation density GaN GaN light extraction efficiency