中山大学 电子与信息工程学院 光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510006
选择区域外延生长（SAG）技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中, Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统研究了选择区域外延生长中Ga原子在掩模介质表面上的迁移特性, 得到了不同反应腔压力和生长温度下Ga原子在掩模介质表面的迁移长度, 且在保持其他生长条件不变的情况下, 适当降低反应腔压力或提高生长温度可提高Ga原子的迁移长度。
金属有机化合物化学气相沉积 选择区域外延生长 迁移长度 MOCVD SAG migration length
中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室, 北京 100083
采用选择区域外延生长技术和对接再生长技术，设计并制作了10信道分布反馈激光器阵列与多模干涉耦合器的单片集成器件。器件中采用了新的技术，集成了钛薄膜热电阻用于波长调谐。集成器件烧结到热沉上后，在25 ℃温控条件下测试，激光器阵列的平均信道间隔为1.29 nm，阈值电流为22~30 mA；当激光器注入电流为200 mA，各信道的平均出光功率为0.5 mW。集成热电阻的调谐效率约为5 nm/W,通过施加合适的热电流调谐,该集成器件可以覆盖34路信道间隔为50 GHz的波长范围。集成器件可单波长选择输出，也可10信道同时运作合波输出。
集成光学 分布反馈激光器阵列 选择区域外延生长 多模干涉耦合器 光通信 中国激光
2013, 40(12): 1202001
