激光三维成像中光电混频技术的研究进展

卜禹铭; 曾朝阳; 杜小平; 宋一铄

doi:doi:10.3788/LOP56.080002

激光与光电子学进展, 2019, 56 (8): 080002, 网络出版: 2019-07-26

激光三维成像中光电混频技术的研究进展下载： 1236次

Research Progress of Photoelectric Mixing Technology in Laser Three-Dimensional Imaging

卜禹铭曾朝阳杜小平 ^*宋一铄

作者单位

航天工程大学, 北京 101416

图 & 表

图 1. 光电混频技术的基本模型[4]

Fig. 1. Basic model of photoelectric mixing technology[4]

下载图片查看原文

图 2. 光电混频技术分类

Fig. 2. Classification of photoelectric mixing technology

下载图片查看原文

图 3. 美国DRS公司生产的HgCdTe LM-APDs示意图[11]。 (a)截面图;(b)俯视图

Fig. 3. Schematic of HgCdTe LM-APDs produced by DRS company in USA[11]. (a) Cross-section; (b) top view

下载图片查看原文

图 4. 基于InGaAs的LM-APD结构[14]

Fig. 4. Structural diagram of InGaAs-based LM-APD[14]

下载图片查看原文

图 5. 美国Princeton Lightwave公司生产的32×32 InGaAs GM-APD的结构[27]

Fig. 5. Structural diagram of 32×32 InGaAs GM-APD produced by Princeton Lightwave company in USA[27]

下载图片查看原文

图 6. ICCD结构示意图

Fig. 6. Structural diagram of ICCD

下载图片查看原文

图 7. 美国Intevac公司生产的EBAPS探测器芯片[32]

Fig. 7. EBAPS detector chip produced by Intevac company in USA[32]

下载图片查看原文

图 8. 新型微波光电混频器的结构框图[35-36]

Fig. 8. Structural diagram of novel microwave photoelectric mixer[35-36]

下载图片查看原文

图 9. 美国Fast Pulse Technology公司生产的大口径晶体

Fig. 9. Large diameter crystals produced by Fast Pulse Technology company in USA

下载图片查看原文

表 1EBAPS的性能参数

Table1. Performance parameters of EBAPS

Parameter	Night Vista	ISIE6	ISIE10
Name	VGA640×480	SXGA1280×1024	SXGA1280×1024
Maximumgain		300
Workingvoltage		500-2000 V
Pixel size	12.0 μm×12.0 μm	6.7 μm×6.7 μm	10.8 μm×10.8 μm
Frame rate	30 frame·s^-1	27.5 frame·s^-1	37 frame·s^-1

查看原文

卜禹铭, 曾朝阳, 杜小平, 宋一铄. 激光三维成像中光电混频技术的研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(8): 080002. Yuming Bu, Zhaoyang Zeng, Xiaoping Du, Yishuo Song. Research Progress of Photoelectric Mixing Technology in Laser Three-Dimensional Imaging[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(8): 080002.

激光三维成像中光电混频技术的研究进展下载： 1236次

图 1. 光电混频技术的基本模型[4]

Fig. 1. Basic model of photoelectric mixing technology[4]

图 2. 光电混频技术分类

Fig. 2. Classification of photoelectric mixing technology

图 3. 美国DRS公司生产的HgCdTe LM-APDs示意图[11]。 (a)截面图;(b)俯视图

Fig. 3. Schematic of HgCdTe LM-APDs produced by DRS company in USA[11]. (a) Cross-section; (b) top view

图 4. 基于InGaAs的LM-APD结构[14]

Fig. 4. Structural diagram of InGaAs-based LM-APD[14]

图 5. 美国Princeton Lightwave公司生产的32×32 InGaAs GM-APD的结构[27]

Fig. 5. Structural diagram of 32×32 InGaAs GM-APD produced by Princeton Lightwave company in USA[27]

图 6. ICCD结构示意图

Fig. 6. Structural diagram of ICCD

图 7. 美国Intevac公司生产的EBAPS探测器芯片[32]

Fig. 7. EBAPS detector chip produced by Intevac company in USA[32]

图 8. 新型微波光电混频器的结构框图[35-36]

Fig. 8. Structural diagram of novel microwave photoelectric mixer[35-36]

图 9. 美国Fast Pulse Technology公司生产的大口径晶体

Fig. 9. Large diameter crystals produced by Fast Pulse Technology company in USA

表 1EBAPS的性能参数

Table1. Performance parameters of EBAPS

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索

激光三维成像中光电混频技术的研究进展 下载： 1236次

图 1. 光电混频技术的基本模型[4]

Fig. 1. Basic model of photoelectric mixing technology[4]

图 2. 光电混频技术分类

Fig. 2. Classification of photoelectric mixing technology

图 3. 美国DRS公司生产的HgCdTe LM-APDs示意图[11]。 (a)截面图;(b)俯视图

Fig. 3. Schematic of HgCdTe LM-APDs produced by DRS company in USA[11]. (a) Cross-section; (b) top view

图 4. 基于InGaAs的LM-APD结构[14]

Fig. 4. Structural diagram of InGaAs-based LM-APD[14]

图 5. 美国Princeton Lightwave公司生产的32×32 InGaAs GM-APD的结构[27]

Fig. 5. Structural diagram of 32×32 InGaAs GM-APD produced by Princeton Lightwave company in USA[27]

图 6. ICCD结构示意图

Fig. 6. Structural diagram of ICCD

图 7. 美国Intevac公司生产的EBAPS探测器芯片[32]

Fig. 7. EBAPS detector chip produced by Intevac company in USA[32]

图 8. 新型微波光电混频器的结构框图[35-36]

Fig. 8. Structural diagram of novel microwave photoelectric mixer[35-36]

图 9. 美国Fast Pulse Technology公司生产的大口径晶体

Fig. 9. Large diameter crystals produced by Fast Pulse Technology company in USA

表 1EBAPS的性能参数

Table1. Performance parameters of EBAPS

相关论文

相关资讯

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索

激光三维成像中光电混频技术的研究进展下载： 1236次