光电技术应用, 2020, 35 (6): 36, 网络出版: 2021-02-05
单层二硫化钼在空位缺陷下的可饱和吸收性
Saturable Absorption of MoS2 under Vacancy Defect
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN304 |
| 栏目: | 光电器件与材料 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目(61805067)；河北省自然科学基金(A2019202257)；河北省高等学校科学技术研究项目(BJ2018047) |
| 收稿日期: | 2020-05-20 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2021-02-05 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
杨健, 刘硕, 白振旭, 俎群. 单层二硫化钼在空位缺陷下的可饱和吸收性[J]. 光电技术应用, 2020, 35(6): 36. YANG Jian, LIU Shuo, BAI Zhen-xu, ZU Qun. Saturable Absorption of MoS2 under Vacancy Defect[J]. Electro-Optic Technology Application, 2020, 35(6): 36.
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