光电技术应用, 2020, 35 (6): 36, 网络出版: 2021-02-05
单层二硫化钼在空位缺陷下的可饱和吸收性
Saturable Absorption of MoS2 under Vacancy Defect
Metrics
摘要访问:1274次
PDF 下载:4次
全文浏览:1次
总被查询:0次
杨健, 刘硕, 白振旭, 俎群. 单层二硫化钼在空位缺陷下的可饱和吸收性[J]. 光电技术应用, 2020, 35(6): 36. YANG Jian, LIU Shuo, BAI Zhen-xu, ZU Qun. Saturable Absorption of MoS2 under Vacancy Defect[J]. Electro-Optic Technology Application, 2020, 35(6): 36.
PDF全文
