太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 16 (4): 576, 网络出版: 2018-09-12
GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射
Cascaded difference-frequency generation for THz in GaP,GaAs and PPLN crystals
基本信息
| DOI: | 10.11805/tkyda201804.0576 |
| 中图分类号: | TN201;O411 |
| 栏目: | 太赫兹科学技术 |
| 项目基金: | 江西省自然科学基金资助项目(20161BAB202052)；博士启动基金资助项目(6398)；教育厅科技资助项目(GJJ160305) |
| 收稿日期: | 2017-10-22 |
| 修改稿日期: | 2017-12-07 |
| 网络出版日期: | 2018-09-12 |
| 通讯作者: | 谢芳森 (xiefangsen@163.com) |
| 备注: | -- |
黄俊滔, 饶志明, 谢芳森. GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 16(4): 576. HUANG Juntao, RAO Zhiming, XIE Fangsen. Cascaded difference-frequency generation for THz in GaP,GaAs and PPLN crystals[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2018, 16(4): 576.
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