液晶与显示, 2019, 34 (7): 646, 网络出版: 2019-08-07   

a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

Effect of thickness of a-Si remain on TFT characteristics
作者单位
重庆京东方光电科技有限公司, 重庆400700
基本信息
DOI: 10.3788/yjyxs20193407.0646
中图分类号: TN27
栏目: 材料与器件
项目基金: --
收稿日期: 2018-12-25
修改稿日期: 2019-04-25
网络出版日期: 2019-08-07
通讯作者: 田茂坤 (tianmaokun@boe.com.cn)
备注: --

田茂坤, 黄中浩, 谌伟, 王恺, 王思江, 王瑞, 董晓楠, 赵永亮, 闵泰烨, 袁剑峰, 孙耒来. a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响[J]. 液晶与显示, 2019, 34(7): 646. TIAN Mao-kun, HUANG Zhong-hao, CHEN Wei, WANG Kai, WANG Si-jiang, WANG Rui, DONG Xiao-nan, ZHAO Yong-liang, MIN Tai-ye, YUAN Jian-feng, SUN Lei-lai. Effect of thickness of a-Si remain on TFT characteristics[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2019, 34(7): 646.

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