光学学报, 2006, 26 (1): 77, 网络出版: 2006-04-20
低温GaAs被动调Q锁模Nd:Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器特性研究
Study on the Property of Passively Q-Switched Mode-Locked Nd:Gd0.42Y0.58VO4 Mixed Crystal Laser with GaAs Absorber Grown at Low Temperature
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN248.1 |
| 栏目: | 激光器与激光光学 |
| 项目基金: | 山东省科技厅科技攻关计划(031080125)资助课题 |
| 收稿日期: | 2005-03-09 |
| 修改稿日期: | 2005-04-25 |
| 网络出版日期: | 2006-04-20 |
| 通讯作者: | 卓壮 (z.zhuo@sduln.com.cn) |
| 备注: | -- |
卓壮, 姜其畅, 王勇刚, 苏艳丽, 李涛, 李建. 低温GaAs被动调Q锁模Nd:Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器特性研究[J]. 光学学报, 2006, 26(1): 77. 卓壮, 姜其畅, 王勇刚, 苏艳丽, 李涛, 李建. Study on the Property of Passively Q-Switched Mode-Locked Nd:Gd0.42Y0.58VO4 Mixed Crystal Laser with GaAs Absorber Grown at Low Temperature[J]. Acta Optica Sinica, 2006, 26(1): 77.
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