中国激光, 2017, 44 (1): 0102012, 网络出版: 2017-01-10   

不同晶面单晶硅在飞秒激光作用下的行为特性 下载: 1434次

Behavior Characteristics of Different Crystal Surfaces of Monocrystal Silicon Under Femtosecond Laser Irradiation
作者单位
北京工业大学激光工程研究院高功率激光先进制造实验室, 北京 100124
基本信息
DOI: 10.3788/CJL201744.0102012
中图分类号: TN249
栏目: “超快激光加工与微纳制造”专题
项目基金: 国家自然科学基金(51675013)、北京市自然科学基金(3152004)、北京市科技新星计划(Z141104001814109)
收稿日期: 2016-09-27
修改稿日期: 2016-10-24
网络出版日期: 2017-01-10
通讯作者: 张欣 (zhangxin2014@emails.bjut.edu.cn)
备注: --

张欣, 黄婷, 肖荣诗. 不同晶面单晶硅在飞秒激光作用下的行为特性[J]. 中国激光, 2017, 44(1): 0102012. Zhang Xin, Huang Ting, Xiao Rongshi. Behavior Characteristics of Different Crystal Surfaces of Monocrystal Silicon Under Femtosecond Laser Irradiation[J]. Chinese Journal of Lasers, 2017, 44(1): 0102012.

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