发光学报, 2012, 33 (10): 1089, 网络出版: 2012-10-12
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响
Effect of GaN Buffer Layers on Deposition of AlN Films by DC Reactive Magnetron Sputtering
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20123310.1089 |
| 中图分类号: | O76 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(51072196, 51072195)资助项目 |
| 收稿日期: | 2012-04-27 |
| 修改稿日期: | 2012-05-25 |
| 网络出版日期: | 2012-10-12 |
| 通讯作者: | 王新建 (wangxinjian03@126.com) |
| 备注: | -- |
王新建, 宋航, 黎大兵, 蒋红, 李志明, 缪国庆, 陈一仁, 孙晓娟. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响[J]. 发光学报, 2012, 33(10): 1089. WANG Xin-jian, SONG Hang, LI Da-bing, JIANG Hong, LI Zhi-ming, MIAO Guo-qing, CHEN Yi-ren, SUN Xiao-juan. Effect of GaN Buffer Layers on Deposition of AlN Films by DC Reactive Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012, 33(10): 1089.
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