中国激光, 2015, 42 (4): 0406002, 网络出版: 2015-03-25
掺C高阻GaN的MOCVD外延生长
Growth of the C-Doped High Resistance GaN by MOCVD
基本信息
DOI: | 10.3788/cjl201542.0406002 |
中图分类号: | TN386;O782.9 |
栏目: | 材料与薄膜 |
项目基金: | 国家自然科学基金(61204011,11204009,61107026)、国家自然科学基金重点基金(U103760)、北京市自然科学基金(4142005) |
收稿日期: | 2014-11-17 |
修改稿日期: | 2014-12-16 |
网络出版日期: | 2015-03-25 |
通讯作者: | 钟林健 (ljzhong2013@sinano.ac.cn) |
备注: | -- |
钟林健, 邢艳辉, 韩军, 王凯, 朱启发, 范亚明, 邓旭光, 张宝顺. 掺C高阻GaN的MOCVD外延生长[J]. 中国激光, 2015, 42(4): 0406002. Zhong Linjian, Xing Yanhui, Han Jun, Wang Kai, Zhu Qifa, Fan Yaming, Deng Xuguang, Zhang Baoshun. Growth of the C-Doped High Resistance GaN by MOCVD[J]. Chinese Journal of Lasers, 2015, 42(4): 0406002.