掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

钟林健; 邢艳辉; 韩军; 王凯; 朱启发; 范亚明; 邓旭光; 张宝顺

doi:doi:10.3788/cjl201542.0406002

中国激光, 2015, 42 (4): 0406002, 网络出版: 2015-03-25

掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

Growth of the C-Doped High Resistance GaN by MOCVD

钟林健 ^1,*邢艳辉 ¹韩军 ¹王凯 ¹朱启发 ¹范亚明 ²邓旭光 ²张宝顺 ²

作者单位

¹ 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124

² 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏苏州 215123

图 & 表

钟林健, 邢艳辉, 韩军, 王凯, 朱启发, 范亚明, 邓旭光, 张宝顺. 掺C高阻GaN的MOCVD外延生长[J]. 中国激光, 2015, 42(4): 0406002. Zhong Linjian, Xing Yanhui, Han Jun, Wang Kai, Zhu Qifa, Fan Yaming, Deng Xuguang, Zhang Baoshun. Growth of the C-Doped High Resistance GaN by MOCVD[J]. Chinese Journal of Lasers, 2015, 42(4): 0406002.