北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱, 采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器, 制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件, 其阈值电流为3.3mA, 阈值电压为1.8V, 斜率效率为0.387W/A, 室温直流电流为22.8mA时, 输出光功率为5mW。
量子阱 金属有机物化学气相沉积 氧化限制型 VCSEL VCSEL quantum well MOCVD oxide restricted device
1 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜，研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响，发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响很大。当GaN 缓冲层采用N2作为载气，CCl4的流量为0.016 μmol/min 时成功实现了GaN 的高阻生长，样品A2的方块电阻高达2.8×107 Ω/sq。经原子力显微镜(AFM)测试显示，样品的表面形貌较好，粗糙度均在0.3 nm 附近，说明Ｃ掺杂对外延GaN 薄膜的表面形貌没有大的影响。低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关。
材料 C掺杂 高阻 半绝缘 金属有机物化学气相沉积 GaN 薄膜
1 北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备, 在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT), 研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时, HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1, 二维电子气(2DEG)浓度为1.16×1013 cm-2。AFM测试结果表明, 一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明, AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。
AlN厚度 电学性能 AlN thickness PALE PALE MOCVD MOCVD HEMT HEMT electrical properties
