半导体光电, 2017, 38 (3): 361, 网络出版: 2017-07-10  

拉通型硅基APD保护环工艺研究

Study on Guard-ring Process of Silicon Reach-through APD
作者单位
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.03.012
中图分类号: TN929.11
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: --
收稿日期: 2016-06-30
修改稿日期: --
网络出版日期: 2017-07-10
通讯作者: 李睿智 (royal1024@126.com)
备注: --

李睿智, 袁安波, 曾武贤. 拉通型硅基APD保护环工艺研究[J]. 半导体光电, 2017, 38(3): 361. LI Ruizhi, YUAN Anbo, ZENG Wuxian. Study on Guard-ring Process of Silicon Reach-through APD[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(3): 361.

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