激光与光电子学进展, 2018, 55 (5): 051603, 网络出版: 2018-09-11
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响 
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Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Luminescence Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Wells
基本信息
| DOI: | 10.3788/LOP55.051603 |
| 中图分类号: | O472 |
| 栏目: | 材料 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金（61404009,61474010,61574022,61504012,61674021,11674038）、 |
| 收稿日期: | 2017-12-12 |
| 修改稿日期: | 2018-01-22 |
| 网络出版日期: | 2018-09-11 |
| 通讯作者: | 方铉 ( fangxuan110@126.com) |
| 备注: | -- |
智民, 方铉, 牛守柱, 房丹, 唐吉龙, 王登魁, 王新伟, 王晓华, 魏志鹏. 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(5): 051603. Min Zhi, Xuan Fang, Shouzhu Niu, Dan Fang, Jilong Tang, Dengkui Wang, Xinwei Wang, Xiaohua Wang, Zhipeng Wei. Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Luminescence Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Wells[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(5): 051603.
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