长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显著提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。
材料 GaAs/AlGaAs 量子阱 互扩散 快速热退火 激光与光电子学进展
2018, 55(5): 051603
1 长春理工大学 光电工程学院 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室, 吉林 长春 130022
3 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 广西 南昌 330047
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层, 并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明, 在300~370 ℃范围内, 随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加, 而薄膜表面粗糙度减小。
氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度 Aluminum nitride plasma enhanced atomic layer deposition growth rate crystallization surface roughness deposition temperature 红外与激光工程
2016, 45(4): 0421001
