中国激光, 2010, 37 (8): 2051, 网络出版: 2010-08-13   

SiO2材料蒸发特性对膜厚均匀性的影响

Impact of Evaporation Characteristics of SiO2 on Uniformity of Thin-Film Thickness
作者单位
1 中国科学院 上海光学精密机械研究所,中国科学院强激光材料重点实验室,上海 201800
2 中国科学院 研究生院,北京 100049
引用该论文

王宁, 邵建达, 易葵, 魏朝阳. SiO2材料蒸发特性对膜厚均匀性的影响[J]. 中国激光, 2010, 37(8): 2051.

Wang Ning, Shao Jianda, Yi Kui, Wei Chaoyang. Impact of Evaporation Characteristics of SiO2 on Uniformity of Thin-Film Thickness[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(8): 2051.

引用列表
1、 电子束蒸发球面夹具系统膜厚均匀性的研究激光与光电子学进展, 2021, 58 (5): 0531001
2、 2 μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜的设计激光与光电子学进展, 2017, 54 (7): 70501
4、 2.4 m望远镜铝反射镜介质保护膜的研究中国激光, 2013, 40 (9): 907002

王宁, 邵建达, 易葵, 魏朝阳. SiO2材料蒸发特性对膜厚均匀性的影响[J]. 中国激光, 2010, 37(8): 2051. Wang Ning, Shao Jianda, Yi Kui, Wei Chaoyang. Impact of Evaporation Characteristics of SiO2 on Uniformity of Thin-Film Thickness[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(8): 2051.

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