激光与光电子学进展, 2014, 51 (2): 022302, 网络出版: 2014-01-17
GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究 下载: 624次
Study on the Growth of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN {11-22} Semipolar Plane
基本信息
DOI: | 10.3788/lop51.022302 |
中图分类号: | TN304.23 |
栏目: | 光学器件 |
项目基金: | 江苏省自然科学基金(11074280) |
收稿日期: | 2013-09-02 |
修改稿日期: | 2013-10-21 |
网络出版日期: | 2014-01-17 |
通讯作者: | 杨国锋 (gfyang@jiangnan.edu.cn) |
备注: | -- |
杨国锋, 朱华新, 郭颖, 李果华, 高淑梅. GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(2): 022302. Yang Guofeng, Zhu Huaxin, Guo Ying, Li Guohua, Gao Shumei. Study on the Growth of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN {11-22} Semipolar Plane[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2014, 51(2): 022302.