光学学报, 2017, 37 (2): 0216001, 网络出版: 2017-02-13
反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究
Damage-Removal and Passivation of Polycrystalline Black Silicon by Reactive Ion Etching
基本信息
DOI: | 10.3788/aos201737.0216001 |
中图分类号: | TB34 |
栏目: | 材料 |
项目基金: | 国家自然科学基金(61176062)、江苏省前瞻性联合研究项目(BY2016003-09) |
收稿日期: | 2016-09-01 |
修改稿日期: | 2016-10-04 |
网络出版日期: | 2017-02-13 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
金磊, 李玉芳, 沈鸿烈, 蒋晔, 杨汪扬, 杨楠楠, 郑超凡. 反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究[J]. 光学学报, 2017, 37(2): 0216001. Jin Lei, Li Yufang, Shen Honglie, Jiang Ye, Yang Wangyang, Yang Nannan, Zheng Chaofan. Damage-Removal and Passivation of Polycrystalline Black Silicon by Reactive Ion Etching[J]. Acta Optica Sinica, 2017, 37(2): 0216001.