反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究 | 光学学报 -- 中国光学期刊网

光学学报, 2017, 37 (2): 0216001, 网络出版: 2017-02-13

反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究

Damage-Removal and Passivation of Polycrystalline Black Silicon by Reactive Ion Etching

金磊李玉芳沈鸿烈蒋晔杨汪扬杨楠楠郑超凡

作者单位

南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，江苏南京 210016

材料反应离子刻蚀去损伤表面钝化氧化铝 materials reactive ion etching damage-removal surface passivation Al2O3

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