1 陕西科技大学 电气与信息学院 陕西省平板显示技术工程研究中心, 西安 710071
2 天津大学 理学院 天津市分子光电科学重点实验室, 天津 300072
采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150 μm左右)高质量的MAPbI3单晶, 并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置. 从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI2晶体生长的因素.结果表明: 该晶体生长的最优条件分别对应为350 ℃、20 sccm、20 min. 将MAPbI3单晶放置在空气中50天后, 其X衍射特征峰没有明显变化. 最后分析该器件的光电特性, 发现其开关比高达104, 响应度为3.8×104 A/W, 且具有较快的响应速度(上升时间: 0.03 s; 下降时间: 0.15 s).该MAPbI3单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用.
甲胺基碘化铅单晶 大尺寸 高质量 光电探测器 响应度 CH3NH3PbI3 single crystal Large scale High quality Photodetector Responsivity
