针对钛合金熔丝增材制造零件表面粗糙度差、尺寸精度低的问题，提出了高质量复合热源熔丝成形工艺。以激光和焦耳热为热源，选用直径为0.3 mm的TC4钛合金细丝为沉积材料，首先通过焦耳电流预热金属丝，然后以低功率激光加热形成小尺寸熔池，随着基板的运动，金属丝被持续送入熔池并稳定沉积。通过单道沉积试验，研究了工艺参数对单道沉积层几何特征的影响规律。结果表明：当激光功率在50~200 W、送丝速度在60~360 mm/min的范围内变化时，工艺参数对沉积层几何特征的影响显著；当移动速度在30~360 mm/min的范围内增加时，沉积层宽度减小，高度稳定；当焦耳电流增大至10 A时，出现了周期性丝材熔断，恶化了沉积形貌和沉积稳定性。在稳定沉积参数组合（激光功率为125 W，送丝速度为240 mm/min，移动速度为300 mm/min，焦耳电流为8 A）的基础上，以25 W的降序功率梯度进行过渡，优化了坍塌、变形等缺陷，获得了高质量的钛合金薄壁件，其表面粗糙度（R_a）为1.776 μm，平均壁厚为0.648 mm，平均壁厚偏差为0.004 mm，优于主流的送丝增材制造工艺，且沉积态试样在移动方向和沉积方向的拉伸强度分别为（918.91±9.54）MPa和（926.516±22.52）MPa。

锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求，所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段；采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨；通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度；通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时，使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明，采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片，能够满足InSb红外探测器制备需求。

长期以来, 临海眼镜产品附加值低、缺乏自主品牌, 企业转型升级较困难。从临海眼镜行业发展现状出发, 分析当前行业发展存在的问题, 发现摆脱低质、低价的标签是当务之急, 并就如何推进临海眼镜产业高质量发展提出意见和建议。

天基光学监测系统是态势感知的重要内容。通过分析星空场景下面目标的光电成像过程，在面目标成像的基础上设计了天基空间目标场景成像仿真系统，并提出了一种根据卫星表面所用材料的双向反射分布函数（BRDF）特性改进二次反射光线抽样范围的方法。根据太阳电池板材料和聚酰亚胺膜两种材料的反射分布，确定了顶角为10°和15°的光线集中区域用于蒙特卡罗抽样。目标成像模块包含实时和高质量两种模式。当选择实时成像模式时，所设计系统直接调用OpenGL管线进行渲染，实现了35 Hz以上的成像频率；当选择高质量成像模式时，采用改进二次抽样的光线追踪方法进行成像，成像效果逼真、阴影显示正确。在星空背景下，使用所设计系统对空间目标的成像和监测进行了仿真，研究结果可为天基光学相机的设计提供一定参考。

采用(E)-4-二腈亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran, DCJTB)分散到PMMA中作为色转换膜(CCL), 分别结合纯蓝光和蓝绿光器件为激发光源制备得到了白光有机发光器件(WOLED)。研究结果表明, 使用发光层结构为mCP∶Firpic(10 nm)/ mCP(1 nm)/mCP∶4CzIPN(1.5 nm)的蓝绿光器件作为激发光源时, 制备得到的WOLED性能明显优于使用纯蓝光进行激发的WOLED性能, 其最大电流效率(CE) 为15.44 cd/A、显色指数(CRI) 77、色坐标(0.320 6,0.369 5)、色转换效率(CCE) 52%。为了进一步展宽电致发光(EL)光谱并提高CRI, 将DCJTB和无机荧光粉Sr2Si5N8∶Eu2+按一定比例混合后分散到PMMA中, 制备得到复合CCL并将其以不同的速率旋涂到蓝绿光器件背面。结果表明, 掺入Sr2Si5N8∶Eu2+后白光OLED的CRI获得明显改善, 这是由于通过对CCL厚度的调控, 使得掺杂后CCL的红光峰逐渐红移从而引起EL光谱更进一步地展宽; 并且当旋涂速率为750 r/min时, 获得的WOLED具备最佳的CCL厚度及EL性能, 其最大CE、CRI、色坐标、CCE分别达到11.29 cd/A、82、(0.320 6,0.369 5)和34%。

采用微波等离子体化学气相沉积法通过控制痕量杂质制备了高质量单晶金刚石材料,并对其结构与光学性能进行综合评价。通过紫外可见吸收光谱和光致发光谱分析了晶体的杂质及含量;采用拉曼光谱、摇摆曲线及X射线白光形貌束分析了不同质量单晶体的晶体结构及结晶质量;通过偏光显微镜综合评价了不同质量单晶金刚石的晶体结构和缺陷。结果证明:获得的高纯单晶金刚石含有少量的缺陷、杂质,其位错应力场以聚集状均匀分布,高纯单晶金刚石与微掺氮单晶金刚石在紫外可见近红外波段的透过率最高可分别达到71.58%和71.27%,接近单晶金刚石的理论透过率(71.6%),且在本征红外吸收波段,高纯金刚石晶体相对微掺氮单晶金刚石,对称性较好,样品吸光度较小。控制痕量杂质制备的高质量单晶金刚石膜有望应用于光探测器探头和光学窗口。

采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150 μm左右)高质量的MAPbI3单晶, 并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置. 从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI2晶体生长的因素.结果表明: 该晶体生长的最优条件分别对应为350 ℃、20 sccm、20 min. 将MAPbI3单晶放置在空气中50天后, 其X衍射特征峰没有明显变化. 最后分析该器件的光电特性, 发现其开关比高达104, 响应度为3.8×104 A/W, 且具有较快的响应速度(上升时间: 0.03 s; 下降时间: 0.15 s).该MAPbI3单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用.