采用微分干涉显微镜、扫描电镜和聚焦离子束观察了偏振分光膜损伤的形貌，从损伤机理出发，研究了清洗对偏振分光膜损伤阈值的影响。结果表明：清洗能有效去除表面杂质，清洗质量越好，基板上的杂质尺寸越小，杂质密度也越小，相应的偏振分光膜S光的损伤阈值越高; 清洗能有效去除基板表面的纳米吸收中心，吸收性杂质分布密度越小，吸收峰越低，P光的损伤阈值越高。

研究了HfO2/SiO2高反膜中植入2 μm的SiO2小球所形成的节瘤的界面连续性对损伤特性的影响。采用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了两种不同厚度的1064 nm高反膜。它们的电场分布和吸收相近；但是厚度大(约为2倍)的薄膜中，节瘤的界面连续性更好。对于这两种特性的节瘤，用1064 nm脉冲激光(脉宽10 ns)进行了统计性的Raster Scan扫描测量。发现厚度大的薄膜中节瘤的初始损伤阈值更高(约为2倍)，损伤过程相对缓慢。说明对于2 μm直径的SiO2种子源，在考察的厚度范围内，节瘤与周围膜层的连续性随着膜层厚度的增加明显改善，其抗激光辐照的稳定性也增强，初始损伤阈值随之提高。