1 香港科技大学 显示技术研究中心, 香港
2 广东中显科技有限公司, 广东 佛山528225
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟, 验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构, 薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善, 并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 bridged-grain polycrystalline silicon thin-film transistors
