提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟, 验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构, 薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善, 并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。

铜锍及含铜烧结物料经焙烧除硫后, 用王水分解, 聚氨酯泡沫塑料吸附富集分离试样中金, 硫脲解脱后, 分别采用电感耦合等离子原子发射光谱法(ICP-AES)和火焰原子吸收光谱(FAAS)法测定金含量。 针对该类物料基体复杂的特点, 对影响测定结果的各种条件进行了优化实验, 确定了最佳分析条件。 结果表明: 采用两种方法测得12个进口铜锍及含铜烧结物的实际样品的金含量无明显差异, 具有较高的准确度和精密度, 能够较好地解决铜锍及含铜烧结物中金含量测定难的问题。

介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点，晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量，使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内，能形成连续晶畴的多晶硅薄膜，都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分布形式的不同，可以设计成规则、重复的分布形式，获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜。这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同，可准确地控制晶化的过程，具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性，故而适合于工业化生产的要求。利用些技术，当温度为590 ℃时，可将晶化时间缩短至2 h之内。用这种多晶硅薄膜为有源层，所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为～55 cm2/V·s，亚阈值斜摆幅为0.6 V/dec，开关电流比为～1×107，开启电压为－3 V。

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50 μm,空穴的最高霍尔迁移率为30.8 cm2/V·s,电子的最高霍尔迁移率为45.6 cm2/V·s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70~80 cm2 /V·s,亚阈值斜摆幅为1.5 V/decade,开关电流比为1.01×107,开启电压为－8.3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。