南京航空航天大学 材料科学与技术学院 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 210016
采用氯化镉、氯化锌、硫脲、柠檬酸钠和氨水的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜, 利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜、能谱仪和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、相结构和光学性能, 测试了薄膜的光电流响应曲线并对薄膜的光电性能进行了分析.结果表明: 在pH值为10至13范围内成功制备了均匀的CdxZn1-xS薄膜; 随着pH值升高, 薄膜中Zn原子比例与光学带隙减小; 制备的薄膜均表现出明显的光电导现象.pH值为11和12时薄膜的表面最为平整致密, 结晶性最好, 光学带隙分别为2.92 eV和2.72 eV, 光暗电导比均为1.20, 光源关闭后电流下降过程最快, 10 s后电流分别下降了约68.55%和69.39%.
太阳能电池缓冲层 CdxZn1-xS薄膜 化学浴沉积法 光电流响应 光电导现象 光敏性 Solar cell buffer layer CdxZn1-xS thin films Chemical bath deposition Photo-current response Photoconductive phenomenon Photosensitivity
1 南京航空航天大学 材料科学与技术学院, 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 210016
2 常州大学 江苏省光伏科学与工程协同创新中心, 江苏 常州 213164
室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜, 并对其进行不同温度的退火处理。采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性, 用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能, 用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线, 用线性传输线模型测试比接触电阻。研究结果表明: 室温下沉积的ITO薄膜与p-Si形成欧姆接触, 但比接触电阻较大。退火处理可以进一步优化接触性能, 200℃退火后试样保持欧姆接触且比接触电阻下降为8.8×10-3Ω·cm2。随着退火温度进一步升高到300℃, 比接触电阻达到最低值2.8×10-3Ω·cm2, 但接触性能变为非线性。
ITO薄膜 欧姆接触 p型单晶硅 退火 ITO film Ohmic contact p-type silicon annealing
1 南京航空航天大学 材料科学与技术学院 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 210016
2 常州大学 江苏省光伏科学与工程协同创新中心, 江苏 常州 213164
为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性, 选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片, 先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅, 再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明：自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒, 该CdS纳米颗粒衍射峰为(210); CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移, 且从570 nm转移到740 nm; 电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量, 导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.
纳米颗粒 阳极氧化法 电泳法 自支撑多孔硅 光致发光 CdS CdS Nanoparticles Anode oxidation method Electrophoresis method Freestanding porous silicon Photoluminence
