1 上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
3 上海师范大学 数理学院，上海 200234
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中，p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素，本文采用扫描电容显微方法（SCM）获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布，从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外，对于InGaAs/InP探测器，SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中，Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍，远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比，这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
扫描电容显微（SCM） InGaAs平面型探测器 扩散行为 光电流响应 Scanning Capacitance Microscopy（SCM） planar InGaAs detector diffusion behavior photocurrent response
南京航空航天大学 材料科学与技术学院 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 210016
采用氯化镉、氯化锌、硫脲、柠檬酸钠和氨水的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜, 利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜、能谱仪和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、相结构和光学性能, 测试了薄膜的光电流响应曲线并对薄膜的光电性能进行了分析.结果表明: 在pH值为10至13范围内成功制备了均匀的CdxZn1-xS薄膜; 随着pH值升高, 薄膜中Zn原子比例与光学带隙减小; 制备的薄膜均表现出明显的光电导现象.pH值为11和12时薄膜的表面最为平整致密, 结晶性最好, 光学带隙分别为2.92 eV和2.72 eV, 光暗电导比均为1.20, 光源关闭后电流下降过程最快, 10 s后电流分别下降了约68.55%和69.39%.
太阳能电池缓冲层 CdxZn1-xS薄膜 化学浴沉积法 光电流响应 光电导现象 光敏性 Solar cell buffer layer CdxZn1-xS thin films Chemical bath deposition Photo-current response Photoconductive phenomenon Photosensitivity
南京航空航天大学 材料科学与技术学院 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 210016
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明:溶液的pH值在9~11的范围内均可以制备均匀致密的CdS薄膜,其中pH=10时制备的CdS薄膜最为均匀致密且其X射线衍射仪衍射峰强度最强,对应的光学带隙约为2.37 eV;光电流响应曲线显示该薄膜的光电导最高为2.94×10-2 Ω-1·cm-1,光暗电导比为38.23,具有最佳的光敏性.
化学浴沉积法 CdS薄膜 光电流响应 光电导 光暗电导比 光敏性 Chemical bath deposition CdS thin films Photo-current response Photoconductivity Light and dark conductivity ratio Photosensitivity
