1 广西大学资源环境与材料学院, 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室, 广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西生态型铝产业协同创新中心, 南宁 530004
2 广西大学资源环境与材料学院, 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室, 广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西生态型铝产业协同创新中心, 南宁 530004)
采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜, 研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明, InGaN薄膜为单晶结构, 沿［0001］方向择优生长, 薄膜表面光滑致密, In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N薄膜呈n型半导体特性, 具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In0.35Ga0.65N/p-Si异质结具有良好的整流特性, 在±4 V时的整流比为25, 开路电压为1.32 V。In0.35Ga0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制。经拟合, 得到异质结的反向饱和电流为1.05×10-8 A, 势垒高度为0.86 eV, 理想因子为6.87。
脉冲激光沉积 n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结 InGaN薄膜 整流特性 半导体 pulsed laser deposition n-In0.35Ga0.65N/p-Si heterojunction InGaN film rectification characteristic semiconductor
采用第一性原理贋势平面波方法对(111)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算，全面分析了应变对其能带结构、光学性质的影响。计算结果表明：在-8%~0%压应变范围内，随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动，价带向高能方向移动，带隙逐渐减小，但始终为直接带隙；在0%~2%张应变范围内，随着应变的增加，带隙逐渐增大，应变为2%时直接带隙达到最大Eg=0.60441eV；当张应变为4%时，Ca2P0.25Si0.75变为间接带隙半导体。Ca2P0.25Si0.75的介电常数和折射率随着张应变的增加而增加；施加-2%~0%压应变时，介电常数和折射率逐渐减小，到达-2%时达到最小值，此后随着压应变的增加介电常数和折射率逐渐增大。施加压应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而减小，施加张应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而增大。应变可以改变立方相Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数，是调节其光电传输性能的有效手段。
材料 应变 光学性质 能带结构 第一性原理 激光与光电子学进展
2014, 51(9): 091603
西安邮电学院 电子与信息工程系，陕西 西安 710121
文章研究了λ/4波片-λ/2波片-λ/4波片(QHQ)型方位角控制偏振控制器的控制算法，通过仿真实验验证了该算法的遍历性。分析研究了QHQ型偏振控制器的波片方位角误差和输入波长误差对偏振态转化精度的影响，并进行了仿真。误差分析结果对研究偏振控制器的误差补偿以及提高偏振控制器的精度具有指导意义。
偏振控制器 方位角控制 误差分析 polarization controller direction control error analysis
西安邮电学院 电子与信息工程系，陕西 西安 710121
文章研究了45°-0°-45°相位延迟型偏振控制器的控制算法，对相位延迟量引入的误差进行了分析，并通过仿真得到输出偏振态的方位角误差和椭率角误差与延迟量误差之间的关系。结果表明，延迟量误差对该偏振控制器输出偏振态的椭率角误差的影响小于对方位角误差的影响。还分析了入射光波长误差导致的延迟量误差对输出偏振态精度的影响，仿真结果表明，45°-0°-45°相位延迟型偏振控制器是对波长敏感的。
偏振控制器 相位延迟 误差分析 波长 polarization controller phase retardation error analysis wavelength
红外碳硫分析仪检测系统的不稳定性直接影响被测物质分析结果的准确性.针对红外碳硫分析仪的结构特点,结合其工作原理,从工作电源、红外光源、斩波马达、红外线检测器、前置放大器、A/D转换板等几部分对不稳定因素进行了分析探讨,并提出了解决问题的思路,对提高仪器的维护效率具有重要的指导意义.
碳硫分析仪 检测系统 不稳定性
