设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案, 计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响, 分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式, 通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响; 理论和仿真结果表明, 通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成, 提高了脉冲激光器性能, 设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路; 经测试, 27V直流电压源驱动下, 驱动信号上升时间小于15ns, 脉宽25~150ns, 最大占空比0.5%, 输出幅值大于22V。
激光器 驱动电路 微型化 脉冲 laser driving circuit MOSFET MOSFET miniaturized pulse
1 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
2 工业和信息化部第五研究所, 广州 510610
研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管(SLD)模块, 该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装, 通过对模块结构的优化设计, 使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下, 尾纤输出功率大于1.5mW, 光谱宽度大于20nm, 纹波系数小于0.5dB, 同时选用高效率微型半导体制冷器(TEC), 使其正常工作温度范围和储存温度范围分别达到-50～75℃和-60～100℃。
微型光纤陀螺 超辐射发光二极管(SLD) 微型化封装 miniature fiber-optic gyroscopes SLD miniaturization package
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/ GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化, 获得了高质量的外延材料。
大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 InGaAs/GaAs InGaAs/GaAs highly strained mini-band supper-lattices QWIP MOCVD MOCVD
大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高，耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合，耦合效率达到87%；采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固定，实现了大功率半导体激光器模块的全金属化封装。通过环境考核试验证明，模块储存温度达到-60～120℃，能够满足许多特殊环境对半导体激光器模块的要求。
金属化耦合封装 半导体激光器 楔形微透镜光纤 耦合 metalized coupledpackaging semiconductor laser wedgeshaped lensed fibre coupling
