作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案, 计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响, 分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式, 通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响; 理论和仿真结果表明, 通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成, 提高了脉冲激光器性能, 设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路; 经测试, 27V直流电压源驱动下, 驱动信号上升时间小于15ns, 脉宽25~150ns, 最大占空比0.5%, 输出幅值大于22V。
激光器 驱动电路 微型化 脉冲 laser driving circuit MOSFET MOSFET miniaturized pulse 
半导体光电
2014, 35(5): 912
欧翔 1,*熊玲玲 2张普 2丁晓尘 1[ ... ]刘兴胜 2,3
作者单位
摘要
1 西安交通大学 理学院,西安 710049
2 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 西安 710119
3 西安炬光科技有限公司, 西安 710119
运用像散原理和理想光源成像原理,讨论了半导体激光器消像散设计.提出了一种基于消像散的高亮度半导体激光器光纤耦合系统的设计方法.以波长为808 nm,输出功率为10 W的半导体激光器的光纤耦合为例,给出了详细的计算方法和设计步骤.结果表明:采用该方法将半导体激光器光束耦合入数值孔径为0.22,芯径为50 μm的光纤中,耦合后输出功率为9.712 W,耦合效率为97.12%,功率密度为1.1224×106 W/cm2.该方法不仅原理简单,而且设计的耦合系统耦合效率高、体积小,具有较强的实用价值.
半导体激光器 消像散 成像 光纤耦合 Semiconductor lasers Anastigmat Imaging Fiber coupling 
光子学报
2011, 40(11): 1718
丁晓尘 1,*张普 2熊玲玲 2欧翔 1[ ... ]刘兴胜 2,3
作者单位
摘要
1 西安交通大学应用物理系, 陕西 西安 710049
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西 西安 710119
3 西安炬光光电科技有限公司, 陕西 西安 710119
国家863计划(2009AA032704)和中国科学院“计划”资助课题。
激光器 半导体激光器 激光器巴条/阵列 热行为 空间光谱 铟焊料 
中国激光
2011, 38(9): 0902006

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