目前, n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主, 然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au, 通过优化制备过程, 可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400 ℃氩气气氛下退火处理后, 电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触, 极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500 ℃时可得到很小的比接触电阻率(10-6 Ω·cm2), 有利于半导体器件工作稳定性的提高, 降低能耗。退火温度低于400 ℃或高于500 ℃后比接触电阻率都较大, 这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为: 设备成本低、流程简便、节省电极材料, 具有良好的经济效益和实用价值, 适合科研实验室使用。

采用高温固相法制备了SrAl2Si2O8∶Eu2+(SASO∶Eu2+)系列荧光粉，详细研究了荧光粉的晶体结构、激发光谱、发射光谱以及热稳定性。结果表明,在337 nm激发下，发射光谱为一个非对称的宽带单峰，峰值波长404 nm，峰的半高宽约为53 nm，Eu2+的最佳掺杂摩尔浓度为5%，根据Dexter理论，讨论了SASO∶Eu2+荧光粉浓度猝灭是由于Eu2+电偶极-电偶极之间的相互作用引起的。当加热到225 ℃时，SASO∶0.05Eu2+荧光粉发光强度仍具有在初始室温下发光强度的97.4%，表明其具有优异的热稳定性。

针对传统的采用发散照明的相位测量轮廓术投影到参考面上的光场产生畸变的情况, 提出一种利用逆推法从参考面上的位置坐标与光栅条纹坐标分布之间的映射关系建立投影光栅模型的方法, 确保校正光栅投影到参考面上的条纹满足周期性分布。通过相位-高度映射关系恢复出被测物体的面形分布。该方法无须像传统测量方法一样将相位-高度之间的映射关系以数据表形式存储在计算机中, 放宽了系统测量的约束条件, 简化了测量装置, 并能实现高精度测量。计算机模拟和实验均证实了该方法的有效性。

在同步移相干涉测量系统中, 利用三部性能参数一致的 CCD同步协同分别提取空间移相产生的干涉图, 来提高干涉图的空间分辨率。选择多 CCD系统中的一个 CCD作为主机, 产生同步信号来控制所有 CCD同时工作, 设计了以视频同步信号发生器 CXD1217Q为核心的同步信号发生和外协同电路, 提出了一种基于 OPA692视频放大器的同步信号驱动和分发电路。

基于椭圆形光强分布光栅投影测量物体三维面形的方法, 将椭圆形光强分布光栅投影到被测物体表面, 用摄像机获取变形条纹图, 通过系统参量和条纹图携带的相位信息求解出物体的三维面形.推导出通过椭圆形光强分布光栅条纹求解相位的计算公式并对提出方法作了计算机仿真.实验结果表明该方法可以比较准确地测量物体的三维面形,在噪音较大的情况下测量结果仍具有较高准确度.

详细分析了一种基于二维正交光栅衍射的同步移相干涉测量系统的组成结构,包括干涉系统、空间分光部件、偏振移相部件以及图像采集与处理系统。选择了二维正交透射光栅的四个衍射级次的光束作为测试光,理论和实验都证明这种方案具有良好的分光效果;用偏振方向依次改变45°的四片偏振片构成偏振阵列作为移相器件,并根据空间一致性要求,分割得到依次具有90°移相的四幅独立干涉图,获得了较高的移相精度;在幅频积低于100 Hz λ的振动环境中,系统测量重复性的峰谷值优于0.02λ,可以用于一般的在线检测和动态测量。

为了干涉测量的抗振目的,提出了一种新的同步移相干涉测量方案并搭建了实验装置。整个测量系统在迈克耳孙偏振移相干涉仪的基础上,利用一个正交的二维光栅产生对称分光,选取对于理想光栅衍射效率一致的(±1,±1)级衍射光作为测量分光路,使之分别通过偏振方向依次相差45°的一个偏振片组,从而分别形成0°、90°、180°和270°相移的四幅移相干涉图,按照传统的四步移相算法,对被测波面进行了复原。分析了光强畸变和移相误差对系统的测量误差的影响。利用该系统测量一球面系统,结果与在ZYGO干涉仪上相比较,球面系统的均方根误差相差0.012λ,峰谷值相差0.051λ。

从移相单元分光以及相移形成角度对同步移相干涉光抗振技术的研究进展做了综述，分析了影响该技术的关键问题，对光干涉测试领域相关研究具有一定指导的推进作用。