河南大学物理与电子学院 光伏材料省重点实验室, 河南 开封475004
采用溶胶-凝胶法合成Ln2Sn2O7 ∶Er3+(Ln=La, Gd, Y)纳米晶。通过X射线衍射和场发射扫描电子显微镜测试了样品的晶体结构和形貌, 同时对样品的上转换发光性能进行了测试。结果表明: 在980 nm连续激发光的激发下, 样品主要表现为绿光发射。发射中心在528, 549 nm的绿光和672 nm处的红光发射分别对应Er3+离子的4S3/2 →4I15/2、2H11/2 →4I15/2和 4F9/2→4I15/2跃迁。以La2Sn2O7∶Er3+纳米晶为例, Er3+离子的摩尔分数为7%、退火温度为1 150 ℃是其制备的最佳条件, 此时其各个发射峰的强度最高。对La2Sn2O7∶Er3+的发光强度与激发功率关系的研究表明, 其绿光和红光发射均为双光子过程。激发光吸收和能量转移是La2Sn2O7∶Er3+纳米晶上转换发光的主要机制。
上转换 溶胶-凝胶法 稀土锡酸镧 烧绿石 up-conversion sol-gel method Ln2Sn2O7 ∶Er3+ pyrochlore
河南大学 物理与电子学院 河南省光伏材料重点实验室, 河南 开封475004
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管, 讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关, 最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型, 其阈值电压为2.5 V, 开关电流比约为106, 场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。
In2O3 薄膜 薄膜晶体管 沟道层厚度 电学特性 In2O3 films thin film transistor channel thickness electrical performance
1 东莞理工大学 电子工程学院, 广东 东莞 523808
2 河南大学 河南省光伏材料重点实验室, 河南 开封 475001
用Varian Cary 5000紫外-可见-近红外分光光度计对几种碱土金属锡酸盐薄膜的光学透射谱进行了测量; 用改进的包络线法对所得透射谱进行了相关计算, 得到了碱土金属锡酸盐薄膜的折射率、吸收系数、厚度以及光学带隙等光学参数; 对所得结果进行了理论分析, 结果显示: 锡酸盐薄膜在可见光波段满足经典的Sellmeier色散关系。用外推法计算了光学带隙并对光吸收过程进行了分析。
锡酸盐薄膜 透射谱 光学常数 光学带隙 stannate film optical transmission spectrum optical constants optical band gap
1 河南大学 物理与电子学院
2 河南省光伏材料重点实验室,河南 开封 475004
在室温及不同的氧氩比条件下, 采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层, 在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外可见近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明：当氧氩比为1∶14时, 所制得的薄膜的光电性质优良指数最大, 为1.69×10－2 Ω－1；此时, 薄膜的电阻率为9.8×10－5 Ω·cm, 方电阻为9.68 Ω/sq, 在400~800 nm可见光区的平均光学透射率达85%；并且, 在氧氩比为1∶14时, 利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜, 其在可见光区的平均光学透过率达85%以上, 电阻率为1.22×10－4 Ωcm, 方电阻为12.05 Ω/sq.
磁控溅射 氧氩比 透明导电薄膜 Magnetron sputtering SnO2/Ag/SnO2 SnO2/Ag/SnO2 OxygenArgon ratio Transparent conductive film
河南大学 物理与电子学院, 河南 开封 475004
采用柠檬酸作燃烧剂, 在柠檬酸-硝酸盐体系下制备了Gd2O3∶Sm3+和Gd2O3∶Sm3+,Na+纳米晶。用X射线衍射仪、透射电子显微镜、荧光光谱仪等对样品的结构、形貌和光致发光性能进行了分析。结果表明: 所得纳米样品为纯立方相, 晶粒尺寸约为30 nm。在室温下, 用275 nm激发光激发各样品时, 可观测到Sm3+离子的较强发光, 其主发射峰位分别位于561.5, 603.5, 651.5 nm, 分别对应着Sm3+离子的4G5/2→6H5/2 , 4G5/2→6H7/2 和4G5/2 →6H9/2的电子跃迁, 其中以4G5/2→6H7/2 跃迁的光谱强度最强。实验表明: Na+离子的掺入使得Sm3+离子的光发射强度显著增强。对引起样品荧光强度变化的原因进行了分析。
Gd2O3∶Sm纳米晶 发光增强 Na+ Na+ Gd2O3∶Sm3+ nanocrystals enhanced photoluminescence
1 东莞理工学院 电子工程学院,广东 东莞 523106
2 重庆交通大学 图书馆,重庆 400074
3 重庆大学 电气工程学院,重庆 400044
在经典力学框架内和偶极近似下,引入Lindhard势,把粒子运动方程转化为具有硬弹簧特性的达芬(Duffing)方程,利用多尺度法分析了系统的主共振和超共振;讨论了粒子在共振线附近运动的非线性行为;导出了系统的临界参数ac及满足系统稳定的条件。由于系统的临界条件与它的物理参数有关,只需这些参数适当,系统的不稳定性就可以原则上避免,从而保证系统能够稳定地输出晶体摆动场辐射,为寻找X激光或γ激光提供进一步理论分析。
非线性光学 晶体摆动场辐射 沟道辐射 达芬(Duffing)方程 多尺度法 稳定性
1 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安710049
2 河南大学物理与电子学院开封475001
简要说明了非晶硅,多晶硅和有机半导体用作薄膜晶体管沟道层的不足,从电学性质,光学性质和制备温度等几方面介绍了氧化物薄膜晶体管在有源阵列驱动显示技术中的优势,并介绍了氧化物沟道层制备工艺的优化和掺杂方法.最后,展望了氧化物半导体薄膜晶体管应前景.
平板显示技术 氧化物 薄膜晶体管 flat panel display oxide thin filmtransistor
1 河南大学 物理与电子学院,河南 开封 475004
2 西安交通大学 陕西省信息光子技术重点实验室,陕西 西安 710049
采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大。用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关。
氧化锌 薄膜 晶体管 退火 ZnO thin film transistor anneal
1 中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室,上海,200083
2 河南大学物理系,河南,开封,475001
采用化学溶液分解法直接在单晶Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,研究了不同热处理气氛(空气和氧气)对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅(PZT)薄膜的影响.结果发现二种气氛得到的LaNiO3薄膜的电阻率相差较大,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的1/2.对LaNiO3薄膜的导电机制进行了讨论.
退火气氛 LaNiO3薄膜 电阻率. annealing atmosphere LaNiO 3 thin films CSD CSD resistivity
