河南大学 物理与电子学院 河南省光伏材料重点实验室, 河南 开封475004
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管, 讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关, 最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型, 其阈值电压为2.5 V, 开关电流比约为106, 场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。
In2O3 薄膜 薄膜晶体管 沟道层厚度 电学特性 In2O3 films thin film transistor channel thickness electrical performance
1 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安710049
2 河南大学物理与电子学院开封475001
简要说明了非晶硅,多晶硅和有机半导体用作薄膜晶体管沟道层的不足,从电学性质,光学性质和制备温度等几方面介绍了氧化物薄膜晶体管在有源阵列驱动显示技术中的优势,并介绍了氧化物沟道层制备工艺的优化和掺杂方法.最后,展望了氧化物半导体薄膜晶体管应前景.
平板显示技术 氧化物 薄膜晶体管 flat panel display oxide thin filmtransistor
1 河南大学 物理与电子学院,河南 开封 475004
2 西安交通大学 陕西省信息光子技术重点实验室,陕西 西安 710049
采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大。用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关。
氧化锌 薄膜 晶体管 退火 ZnO thin film transistor anneal
