作者单位
摘要
1 长春中科长光时空光电技术有限公司,吉林 长春 130102
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
首次报道了连续输出功率>1 W、脉冲输出功率>10 W的1550 nm波长垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列。对1550 nm VCSEL激光器单个发光单元的热阻特性进行了分析,建立了基于热阻分析及可变产热量的VCSEL阵列热模型,优化了VCSEL发光单元间距,在理论上保证了阵列内部具有均匀的温度分布。制备了发光单元边缘间距为30 μm的高密度集成1550 nm波长VCSEL阵列,并对其在连续工作及脉冲电源驱动条件下的输出特性进行了测试分析。当VCSEL阵列的工作温度为15 ℃时,最高连续输出功率达到1.05 W;即使工作温度增加至65 ℃,VCSEL的最高连续输出功率仍能达到0.42 W。在脉宽为5 μs、重复频率为1 kHz的脉冲条件下,VCSEL在15 ℃时的最大峰值功率达到10.5 W,此时VCSEL呈现出热饱和现象。当脉冲功率为10.5 W时,阵列远场的光斑仍然呈圆形对称形貌,两个正交方向上的远场发散角分别为26.69°和26.98°。
激光器 1550 nm 垂直腔面发射激光器阵列 高功率 人眼安全 激光雷达 
中国激光
2023, 50(19): 1901008
刘天娇 1,2徐玥辉 1,2张建伟 1,*张星 1,3,**[ ... ]王立军 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院大学,北京 100049
3 长春中科长光时空光电技术有限公司,吉林 长春 130102
在国内首次报道了氧气传感专用760 nm单模、波长可调谐的垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL),详细报道了760 nm VCSEL设计方法与器件制备结果。通过分析AlGaAs量子阱的增益特性,确定了量子阱组分及厚度参数,并设计了室温下增益峰与腔模失配为10 nm的VCSEL激光器结构,完成了VCSEL结构的器件制备。VCSEL激光器在工作温度25 °C时单模功率超过2 mW,此时边模抑制比为28.1 dB,发散角全角为18.6°。随着工作电流增加,VCSEL激光器的发散角随之增加,然而激光远场光斑仍然为高斯形貌的圆形对称光斑。通过调节VCSEL激光器的工作温度与工作电流,实现了VCSEL单模激光波长从758.740 nm至764.200 nm的近线性连续调谐,VCSEL工作在15 ~ 35 °C时激光波长的电流调谐系数由1.120 nm/mA变至1.192 nm/mA;温度调谐系数由0.072 nm/°C变至0.077 nm/°C。在两个氧气特征吸收波长附近,VCSEL激光的边模抑制比分别达到了32.6 dB与30.4 dB。
垂直腔面发射激光器 单模工作 波长调谐 氧气传感 vertical cavity surface emitting laser single- mode operation wavelength detuning oxygen sensing 
红外与毫米波学报
2023, 42(4): 441
马宇航 1吴昊 2,*李再金 1,**张建伟 2[ ... ]王立军 2
作者单位
摘要
1 海南师范大学物理与电子工程学院,海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,海南省院士团队创新中心,海南 海口 571158
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
设计了一种基于双增益芯片合束的超宽带可调谐中红外激光器,该激光器以Littrow结构为基础,采用中心波长分别为4.0 μm和4.6 μm的两个量子级联增益芯片提供光增益,通过4.2 μm低通高反分束片合束后,将增益光入射到300 lines/mm的闪耀光栅形成光反馈,两个量子级联增益芯片通过交替互补的工作方式实现了3~5 μm的超宽谱调谐。在25 ℃温控和303 mA注入电流下,该激光器在34.54°~46.50°的闪耀光栅旋转角度下工作,波长调谐范围为3779~4836 nm(包括179 nm波长调谐空白区间),最大输出光功率为14.12 mW,边模抑制比为20 dB。该激光器具有结构紧凑、调谐范围超宽的优点,可为研制便携式模块化的中红外激光器提供参考。
激光器 量子级联激光器 闪耀光栅 可调谐 Littrow 
光学学报
2023, 43(11): 1114003
马宇航 1吴昊 2,*李再金 1,**张建伟 2[ ... ]王立军 2
作者单位
摘要
1 海南师范大学物理与电子工程学院海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,海南 海口 571158
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
3~5 μm中红外波段激光在气体分子传感、空间光通信、差频太赫兹产生等领域中有广阔的应用前景。研究了一种4 μm波段宽谱可调谐外腔量子级联激光器,设计了一种以Littrow结构为基础的紧凑便携可调谐激光器模块。在激光器模块中采用同一个量子级联增益芯片,分别使用刻线密度为450 line/mm和300 line/mm的闪耀光栅组建了不同的外腔。当采用刻线密度为450 line/mm的闪耀光栅时,注入电流303 mA下的输出光功率为7.30 mW,具有380 nm的调谐范围(3774~4154 nm),边模抑制比为20 dB,出现高阶模式激射现象;当采用刻线密度为300 line/mm的闪耀光栅时,303 mA注入电流下的输出功率为5.24 mW,调谐范围为297 nm(3779~4076 nm),边模抑制比为20 dB,出现基模激射现象。由此可见,采用不同的外腔配置,可以分别获得满足高精度波长调谐和高光束质量要求的激光器性能。
激光器 量子级联激光器 闪耀光栅 波长调谐 Littrow结构 
中国激光
2023, 50(11): 1101020
宫玉祥 1,2张卓 1,2张建伟 1,*张星 1[ ... ]王立军 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院大学,北京 100049
垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的侧向激射是制约其高性能工作的关键。我们设计了室温下量子阱增益峰与表面腔模大失配(30 nm)的增益芯片结构,并证实该结构可以有效抑制泵浦功率增加时VECSEL的侧向激射增强问题。增益芯片基底温度为20 ℃时,VECSEL正向激射波长位于980 nm,侧向激射波长位于950 nm,当泵浦功率逐步增加时,侧向激射强度随着正向激射的出现而迅速降低。这是因为激光正向激射时量子阱的受激辐射能级与正向激射激光模式匹配,正向激射的激光模式可以获取更高的模式增益,在与侧向模式的竞争中处于优势地位。当基底温度控制在0 ℃与10 ℃时,量子阱本征增益峰值与表面腔模失配度增大,此时VECSEL仍然表现出稳定的侧向激射抑制效果。
垂直外腔面发射激光器 侧向激射 增益失谐 模式竞争 vertical external cavity surface emitting lasers(VECSELs) lateral lasing gain detuning mode competition 
发光学报
2023, 44(2): 314
作者单位
摘要
1 上海工程技术大学电子电气工程学院,上海 201620
2 上海工程技术大学管理学院,上海 201620
3 江苏大学汽车工程研究院,江苏 镇江 212013
针对复杂环境下多目标跟踪过程出现的轨迹漏检、误检及身份切换等问题,提出一种基于改进YOLOX和BYTE数据关联方法的多目标跟踪算法。首先,为了增强YOLOX在复杂环境下的目标检测能力,将YOLOX骨干网络与Vision Transformer结合,增强网络的局部特征提取能力,同时加入α-GIoU损失函数,进一步增加网络边界框的回归精度;其次,为了满足算法实时性要求,采用BYTE数据关联方法,摒弃传统特征重识别(Re-ID)网络,进一步提高了多目标跟踪算法的速度;最后,为了改善光照、遮挡等复杂环境下的跟踪问题,采用更加适应非线性系统的扩展卡尔曼滤波,提高了网络在复杂场景下对跟踪轨迹的预测精度。实验结果表明:所提算法对MOT17数据集的multiple object tracking accuracy(MOTA)、identity F1-measure(IDF1)指标分别为73.0%、70.2%,相较于目前最优的ByteTrack,分别提升了1.3个百分点、2.1个百分点,number of identity switches(IDSW)则减少了3.7%;同时所提算法取得了51.2 frame/s的跟踪速度,满足系统实时性要求。
多目标跟踪 YOLOX BYTE Transformer 复杂场景 
激光与光电子学进展
2023, 60(6): 0610014
董世知 1,2,*何佳奇 1马壮 1胡旭东 1[ ... ]张星 1
作者单位
摘要
1 辽宁工程技术大学材料科学与工程学院, 辽宁 阜新 123000
2 北京航空航天大学化学与环境学院, 北京 100191
电解水制氢是一种很有前途的、可以实现可持续能源供应的绿色方法。通过一步水热法, 制备出性能优异的NiCuP/泡沫镍析氢电催化剂。通过调控反应条件, 发现当镍铜摩尔比8:1, 水热温度140 ℃, 保温时间12 h时, 催化剂具有良好的析氢反应活性。此外, 探究了不同的改性剂对催化活性的影响。发现改性剂NaCl的加入能提供更好的离子交互环境从而显著提升催化性能: 当电流密度为10 mA/cm2时, 过电位达到108 mV, Tafel斜率为113 mV/dec(电流每变化10倍, 过电位变化为113 mV)。计算表明, Ni2P-Cu3P的原子d-p轨道相互作用诱发催化剂界面电子活性提升, 显著降低了活化势垒, 并且NaCl的加入对H2O分子解离成活性H离子起到促进作用, 从而提升析氢反应的催化活性。这为过渡金属电催化剂的研发提供了研究基础。
过渡金属磷化物 析氢反应 密度泛函理论 电催化剂 协同作用 transition metal phosphates hydrogen precipitation reaction density functional theory electrocatalyst synergy 
硅酸盐学报
2023, 51(1): 152
李雪 1,2张继业 1,*张建伟 1张星 1,3,**[ ... ]王立军 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049
3 长春中科长光时空光电技术有限公司,吉林 长春 130102
本文报道了一种结构紧凑的垂直外腔面发射激光器(Vertical-External-Cavity Surface- Emitting Laser,VECSEL)及其双波长调控。通过调控泵浦光功率,实现了VECSEL输出的两个激光波长之间的相互转换,双波长的间隔接近50 nm。VECSEL的输出功率曲线呈现明显的两次翻转,翻转点对应了激射波长的转换。这是由于泵浦功率变化改变了增益芯片内部的温度,进而通过热调谐使得发光区增益峰值被调谐到腔模的不同位置。在0 ℃时,每个激射波长的最大输出功率都在1.5 W以上。随着泵浦功率的改变,激射波长可以在950 nm和1000 nm之间切换,同时还可以在1.5 W以上的功率水平下实现双波长同时激射。这种可切换波长及双波长同时激射的VECSEL器件在光调制、差频等领域有较大应用潜力。
垂直外腔面发射半导体激光器 波长调控 双波长 vertical external cavity surface emitting laser switchable wavelength dual-wavelength 
红外与毫米波学报
2023, 42(1): 14
王羚 1,*高峰 1滕书华 1谭志国 1[ ... ]邓力 2,**
作者单位
摘要
1 湖南第一师范学院电子信息学院,湖南 长沙 410205
2 北京邮电大学信息与通信工程学院,北京 100876
提出一种工作于0.25~0.35 THz的介质超表面,基于该超表面、结合轨道角动量(OAM)和频率域实现双域多信道复用,理论上可实现4×NN为任意正整数)路携带不同信息的正交同轴波束的同时传输。超表面由介质柱阵列和介质基板构成,可基于Pancharatnam-Berry相位原理进行设计。选取0.25、0.3、0.35 THz三个频点进行仿真验证,结果表明:当3路具有不同频率和入射角的圆极化平面波沿4个不同方向斜入射至超表面上时,在垂直于超表面的方向上,12路交叉极化透射波被转换为彼此拓扑正交或频率正交的同轴波束,即结合OAM和频率域实现了12路信道复用。所提出的介质超表面在高速率大容量太赫兹通信领域具有潜在的应用价值。
表面光学 太赫兹 介质超表面 复用 轨道角动量 
光学学报
2023, 43(3): 0324001
李志伟 1,2张卓 1,2张建伟 1,*张星 1[ ... ]王立军 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院,北京 100049
报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱采用阱内泵浦方式。在VECSEL工作时,吸收区泵浦的短波长量子阱率先激射,由于发光波长较长的量子阱对短波长量子阱的强度调制效应,此时可以观察到两种波长的光谱峰值强度随时间周期性振荡,采用高灵敏探测器观察到VECSEL此时的输出激光呈现出脉冲输出形式。随着泵浦功率进一步增加,VECSEL的输出激光呈现稳定的双波长输出,激光波长峰位分别位于967.5 nm和969.8 nm。VECSEL双波长稳定输出时的最大激光功率可以达到560 mW,光斑在正交方向呈现对称高斯形貌,正交方向发散角分别为6.68°和6.87°。
半导体激光器 双波长工作 垂直外腔面发射半导体激光器 强度调制 semiconductor lasers dual-wavelength vertical external cavity surface-emitting laser(VECSEL) intensity modulation effect 
红外与毫米波学报
2022, 41(6): 951

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