作者单位
摘要
1 江苏大学 江苏省重点实验室光子制造科学与技术中心, 江苏 镇江212013
2 东南大学 生物电子学国家重点实验室, 江苏 南京210096
采用溶剂热法在相同条件下分别制备了纯ZnO和石墨烯-氧化锌纳米复合物, 通过SEM、TEM、拉曼和红外光谱等手段, 对纳米复合物样品进行了形貌和结构表征。实验结果显示ZnO纳米颗粒成功地分散在少层石墨烯上。通过对比纯ZnO与复合物的形貌和光致发光谱, 发现在没有石墨烯时, ZnO能够择优取向生长成六方棱柱, 紫外发光峰弱且宽; 在有石墨烯时, ZnO聚集成表面不规则的球形颗粒, 紫外发光峰强且窄。上述结果表明ZnO形貌的变化和石墨烯的等离子体效应共同影响了ZnO的紫外发光, 但石墨烯的表面等离子体效应起主导作用。
石墨烯 氧化锌 形貌 光致发光 graphene ZnO morphology photoluminescence 
发光学报
2014, 35(6): 701
作者单位
摘要
1 北京师范大学低能核物理研究所,北京100875
2 意大利国家原子核物理研究院比萨分院,意大利,56100
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少,少子寿命长,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然有高的增益,适宜于弱光探测.报道了以区熔单晶硅为衬底的光晶体管的实验结果.为了保持区熔高纯单晶硅内的少子寿命,背面淀积了一层掺磷多晶硅作为外吸杂层.已经测量得到对于实验中发射极直径为2mm的光晶体管在波长为0.83 μm的入射光照射下,光功率低至0.16 nW时,光晶体管的增益仍然高达4400.
区熔单晶硅 外部吸杂 光晶体管 增益 少子寿命 
光子学报
2004, 33(7): 838

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