基于有效质量近似及变分法,考虑导带弯曲效应,釆用三角势近似量子阱中实际的导带弯曲势, 讨论了Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中激子的结合能、玻尔半径、非相关概率,并与方阱进行比较,给出了 结合能随阱宽和锰组分的变化情况。结果表明:三角势近似下激子结合能随阱宽呈现先增加后减小的趋 势,同方阱相似,但明显小于方阱,且两者的差别随阱宽和锰组份(势垒高度)而增加。在相关 问题的研究中应考虑导带弯曲的修正。

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd1-x Mnx Te/CdTe抛物量子阱 内不同Mn组分下激子的结合能, 给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。 结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大, 激子结合能达到最大值的阱宽相应变小, 这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关； 在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时 会破坏激子效应。计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。