1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院，北京 100049
3 中国科学院大学电子电气与通信工程学院，北京 100049
纹波系数是超辐射发光二极管（SLD）的关键指标，增透薄膜被用于降低纹波系数。基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用，然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳，使用时域有限差分方法进行分析，发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题。优化了增透膜设计，优化后1°~10°腔面倾角内的反射率降低，降幅最高达82%，其中双层增透膜反射率低于0.05%。采用反应磁控溅射工艺镀膜，并验证了优化设计效果。经过增透膜优化，光谱纹波得到有效抑制，SLD管芯纹波系数和调制系数分别仅为0.019 dB和2.30×10-3，降幅超过50%，在100 mA的驱动电流下仍保持10 mW的光功率。所研制的增透膜能够有效减小腔面反射率，利用该增透膜制备了低纹波SLD。研究结果为SLD及其他半导体光电子器件的光学薄膜研制提供了参考。
薄膜 超辐射发光二极管 增透膜 倾斜腔面 优化设计 纹波系数 中国激光
2023, 50(13): 1303101
1 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电工程中心，北京 100083
理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小发散角量子阱激光器.为了扩展近场光场并减小内损耗，将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中.仿真结果表明，该模式扩展层除了少量增加激光器阈值电流以外，在不影响激光器其它性能的情况下能显著减小激光器的垂直远场发散角.实验结果与理论仿真高度吻合.成功制备出脊宽4 μm，腔长1000 μm的脊波导小发散角激光器.在端面未镀膜的情况下，该激光器阈值电流为56 mA，输出功率为17.38 mw@120 mA，斜率效率可以达到0.272 W/A.实验测得垂直远场发散角为29.6°，相比较传统激光器减小了约35.3%.
铟磷基激光器 发散角 光场分布 InP-based lasers beam divergence intensity distribution 红外与毫米波学报
2019, 38(4): 04412
