Author Affiliations
Abstract
1 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
2 College of Materials Science and Opto-electronics Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
3 Beijing Huairou Instruments and Sensors Co., Ltd., Beijing 101400, China
4 Beijing Institute of Automation and Control Equipment, Key Laboratory of National Defense Science and Technology of Inertial Technology, Beijing 100074, China
Integrated optical gyroscopes (IOGs) have been an efficient tool for numerous applications in various fields, including inertial navigation, flight control, and earthquake monitoring. Here, we review the progress of integrated optical gyroscopes based on two categories of integrated interferometric optical gyroscopes (IIOGs) and integrated resonant optical gyroscopes (IROGs).
integrated optical gyroscopes interferometric optical gyroscopes integrated resonant optical gyroscopes Chinese Optics Letters
2024, 22(3): 031302
1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049
3 中国科学院大学电子电气与通信工程学院,北京 100049
纹波系数是超辐射发光二极管(SLD)的关键指标,增透薄膜被用于降低纹波系数。基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用,然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳,使用时域有限差分方法进行分析,发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题。优化了增透膜设计,优化后1°~10°腔面倾角内的反射率降低,降幅最高达82%,其中双层增透膜反射率低于0.05%。采用反应磁控溅射工艺镀膜,并验证了优化设计效果。经过增透膜优化,光谱纹波得到有效抑制,SLD管芯纹波系数和调制系数分别仅为0.019 dB和2.30×10-3,降幅超过50%,在100 mA的驱动电流下仍保持10 mW的光功率。所研制的增透膜能够有效减小腔面反射率,利用该增透膜制备了低纹波SLD。研究结果为SLD及其他半导体光电子器件的光学薄膜研制提供了参考。
薄膜 超辐射发光二极管 增透膜 倾斜腔面 优化设计 纹波系数 中国激光
2023, 50(13): 1303101
1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049
高功率下光束质量恶化问题制约着锥形激光器的发展,基于腔面光学薄膜,研究了腔面反射对光束质量的影响。建立了不包含抗反射结构的物理模型,采用锥形激光器的电光模型进行仿真,分析了不同腔面反射率下器件的光场分布。结果表明,在传统锥形激光器中,存在强烈的光泵、光束成丝、自聚焦和空间烧孔效应,来自腔面的剩余反射引发了上述非线性效应,最终影响光束质量。前腔面反射在此过程中起着关键作用,后腔面同样对光束质量有较大影响。通过优化腔面反射率,提出了两种优化路径,部分设计的光束质量因子小于2,实现了高光束质量。研究结果为锥形激光器的设计提供了参考。
激光器 锥形激光器 腔面反射 光学薄膜 光束质量
1 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院,北京 100049
铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点。本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能。基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了VπL<2 V∙cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz。铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案。最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望。
铌酸锂薄膜 LNOI 电光调制器 lithium niobate thin-film LNOI electro-optic modulator
1 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083
2 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心,北京 100083
3 中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京 100049
近年来,基于薄膜铌酸锂(TFLN)平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注。本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器。研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB,半波电压<1.5 V的高性能调制器。本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据。
电光调制器 TFLN Y波导 electro-optic modulator TFLN Y-junction waveguide
1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
对974 nm双光纤光栅激光器的温度特性进行理论分析与实验研究,理论模拟了双光纤光栅的栅距对反射率的影响。先在室温(25 ℃)下测试器件的光谱,与未加双光纤光栅器件的光谱相比,双光纤光栅激光器的光谱中的次峰得到明显抑制,测试得到峰值波长(974.07 nm)锁定在光栅的中心波长974 nm附近。对器件的功率电流电压特性进行测试,当工作电流达到400 mA时,尾纤输出功率大于253 mW。再分别测试器件在全温范围下的波长变化率和功率变化率,得到波长变化率小于8.2×10 -3 nm/℃。最后测试器件的微分结构函数曲线并分析热阻分布,通过优化热沉的烧结工艺使器件功率变化率小于1.06%。
激光器 半导体激光器 双光纤光栅 波长稳定性 功率稳定性
1 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电工程中心,北京 100083
理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小发散角量子阱激光器.为了扩展近场光场并减小内损耗,将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中.仿真结果表明,该模式扩展层除了少量增加激光器阈值电流以外,在不影响激光器其它性能的情况下能显著减小激光器的垂直远场发散角.实验结果与理论仿真高度吻合.成功制备出脊宽4 μm,腔长1000 μm的脊波导小发散角激光器.在端面未镀膜的情况下,该激光器阈值电流为56 mA,输出功率为17.38 mw@120 mA,斜率效率可以达到0.272 W/A.实验测得垂直远场发散角为29.6°,相比较传统激光器减小了约35.3%.
铟磷基激光器 发散角 光场分布 InP-based lasers beam divergence intensity distribution 红外与毫米波学报
2019, 38(4): 04412
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Abstract
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
We report a compact 2×2 Mach–Zehnder interferometer (MZI) electro-optic switch fabricated on a silicon-on-insulator using standard complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) processes. With a short modulation arm length of 200 μm, the crosstalk is reduced to 22 dB by the new modulation scheme of push–pull modulation with a pre-biased π/2 phase shift. The new modulation scheme can also work with a fast switching time of about 5.4 ns.
130.4815 Optical switching devices 130.3120 Integrated optics devices 200.4650 Optical interconnects Chinese Optics Letters
2015, 13(6): 061301