针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.

前向散射式云滴粒子探测器散射光探测效率高、结构简单，是目前50 μm以内云滴粒子探测的重要仪器之一。建立了基于前向散射原理的云滴粒子探测器，利用固定于多维调整平台的微米量级的小孔光阑模拟周期性出现于探测区域的小粒子，并沿光轴方向前后平移小孔光阑的位置，获得系统的景深。使用5，10和30 μm 3种固定尺寸的标准粒子对系统进行了标定，获得了系统对不同尺寸标准粒子的响应曲线，利用米氏散射原理计算分析了系统对标准粒子与云滴粒子响应的对应关系，利用该关系得到系统对云滴粒子的响应曲线，该响应曲线可以用于云滴粒子粒径谱的测量。